home products 　
　
●Go to Product Index
　
TWEEZERS

　

●ESD TWEEZERS NEW
>>PTZ-41. 42 .43
----------------------
●CERAMIC/BAKELITE TWEEZERS NEW
>>PTZ-40. 51
----------------------
PATENTED
● WINGED TWEEZERS
>>PTW-01～32
----------------------
●SUS304 STAINLESS
>>PT-01～15
----------------------
●SOLID ARM TWEEZERS NEW
>>PT-16. 17. 31
----------------------
●SMD TWEEZERS
>>PT-18～28
----------------------
●TITANIUM TWEEZERS
（Perfect Anti-magnetic）
>>PTN-01～04
●TWEEZERS CASE
>>PTK-90
----------------------
●STAINLESS TWEEZERS
>>PTS-01～08
----------------------
●WAFER HANDLING
>>PTZ-01
---------------------
.
　WAFER HANDLING TWEEZERS
PTZ-01


High-tech, advanced manufactured silicon wafer handling tweezers
made with the purest silicon-n carbide parts (SiC)
　 　 　 　
　
　　　 　
● Max. 8-inch diameter wafer holdable
　 ● Body - Titanium alloy
・Light weight
・Anti-magnetic
・Non-corrosive
● Tip - SiC (Hydrosilicon)
・Extra high purity at PPb level
・Anti-static
・Anti-chemical
・Heat resistant
　 　
　
　 ●Tip Dimensions
　 A：11㎜　B：9㎜　C：2㎜　D：3.6㎜　E：2.4㎜
　
　
● Length : 150 mm
　　　　　　　　　　　　　　　　　
.......................................................................................................................................................................................................

■Characteristics
Item Features
Density　（kg/M3） 3.21×10*3
Bending moment 　（kgf/mm2） 80
Tensil stress （kgf/mm2） 60
Young's modules　（kgf/mm2） 50,000
Hardness　（kgf/mm2） HK:3,500
Coefficient of linear exp ansion
（I/℃）		 4.5×10*－6
Heat conductivity　（cal/cm･s･℃） 0.16
Specific resistance 　（Ω･m） 100
（※） Figures at room temperature

.......................................................................................................................................................................................................

■No-Corrosion
Conditions Temp. Time Weight change
6N HCI Boiling Point
（110）		 1470 h none
9N HNO3 Boiling Point
（116）		 1470 h
19N H2SO4 Boiling Point
（128）		 1470 h
Nitric acid 17%HF.
83%HNO3		 Room Temp 532 h
　 　 　
Aqua regia 80℃ 186 h

Atmosphere 1500℃ 146 h none
HCIG gas 1200℃ 25 h

.......................................................................................................................................................................................................

■Impurity contained
Element Density (unit: ppb)
Cu ＜100
K ＜60
Mo ＜40
Fe 35
Cr 26
Zn 9
Mn 9
W ＜ 4
Na ＜ 2
Co 1.3
La 0.8
Ag 0.8
Hf 0.32
Au ＜0.09
Sc ＜0.01

　
　
　
▲TOP
　 ｜HOME｜PRODUCTS｜E-LINK｜E-MAIL｜
engineer inc.